大功率COB（Chip on Board）LED的性能、壽命及可靠性，在很大程度上取決于散熱技術(shù)的有效實(shí)施。盡管各廠商可能將具體方案視為商業(yè)機(jī)密，但業(yè)內(nèi)關(guān)于散熱的關(guān)鍵技術(shù)通常圍繞以下幾個核心方向展開：

高導(dǎo)熱基板：采用陶瓷基板（如氮化鋁AlN、氧化鋁Al?O?）或金屬基板（如銅基板、鋁基板）作為主要散熱載體。其中，氮化鋁（AlN）的導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)170-230 W/m·K，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)鋁基板的200 W/m·K（鋁基板成本相對較低）。此外，覆銅陶瓷基板（DBC）通過高溫將銅層直接鍵合到陶瓷表面，實(shí)現(xiàn)高效的熱傳導(dǎo)和電氣絕緣。

微結(jié)構(gòu)優(yōu)化：在基板表面設(shè)計微槽、微孔或蜂窩結(jié)構(gòu)以增大散熱面積，加速熱量擴(kuò)散；同時采用多層復(fù)合結(jié)構(gòu)（如金屬-陶瓷-金屬夾層）來平衡熱膨脹系數(shù)與導(dǎo)熱性能。

納米級導(dǎo)熱膠/焊料：使用含納米銀、納米金剛石顆粒的導(dǎo)熱膠或焊膏填充芯片與基板間的微小空隙，降低接觸熱阻。例如，燒結(jié)銀技術(shù)可通過低溫?zé)Y(jié)銀膏實(shí)現(xiàn)約250 W/m·K的高導(dǎo)熱性和高可靠性連接。

石墨烯/碳納米管材料：利用石墨烯薄膜或碳納米管陣列作為界面材料，憑借其超高熱導(dǎo)率（2000-5000 W/m·K）快速傳遞熱量。

共晶焊接：通過Au-Sn合金等共晶焊工藝直接將LED芯片鍵合到基板上，減少傳統(tǒng)銀膠帶來的熱阻。

無封裝/免打線技術(shù)：采用倒裝芯片或COB直接封裝方式，避免金線或銅線造成的熱阻瓶頸。

均溫板：利用液體蒸發(fā)-冷凝循環(huán)的原理實(shí)現(xiàn)快速均熱，特別適用于高功率密度場景，并可結(jié)合微通道散熱結(jié)構(gòu)提高散熱效率。

微型熱管：將熱管嵌入散熱器基座中，借助毛細(xì)作用迅速導(dǎo)出熱量。

液態(tài)金屬冷卻：使用低熔點(diǎn)液態(tài)金屬（如鎵基合金）作為冷卻介質(zhì)，其導(dǎo)熱能力遠(yuǎn)超傳統(tǒng)散熱膏。

主動散熱系統(tǒng)：集成微型風(fēng)扇、壓電陶瓷泵或半導(dǎo)體制冷片（TEC），動態(tài)調(diào)節(jié)散熱能力。

多物理場仿真：運(yùn)用CFD計算流體力學(xué)及熱應(yīng)力耦合仿真優(yōu)化散熱路徑和結(jié)構(gòu)設(shè)計。

溫度反饋控制：內(nèi)置溫度傳感器（如NTC熱敏電阻），根據(jù)需要動態(tài)調(diào)整驅(qū)動電流以防過熱失效。

相變材料：在散熱器中加入石蠟等相變材料吸收瞬時產(chǎn)生的大量熱量，從而減緩溫度上升速度。

碳化硅（SiC）基板：實(shí)驗(yàn)性地使用SiC基板，該材料的導(dǎo)熱性能接近AlN且具有更好的機(jī)械強(qiáng)度。

量子點(diǎn)涂層：應(yīng)用輻射冷卻涂層（如紅外輻射材料）將熱量以電磁波的形式散發(fā)掉。

所謂的“核心機(jī)密”，往往指的是廠商對這些技術(shù)進(jìn)行組合優(yōu)化的方式，比如：

成本與性能之間的平衡（例如用低成本的鋁基板加上優(yōu)化后的結(jié)構(gòu)代替昂貴的AlN基板）；

專利工藝的具體細(xì)節(jié)（比如特定的燒結(jié)溫度曲線、微加工方法）；

供應(yīng)鏈方面的優(yōu)勢（如定制的高純度陶瓷基板或石墨烯材料）。

總結(jié)來說，大功率COB LED散熱技術(shù)的核心在于：

低熱阻路徑的設(shè)計（從芯片至環(huán)境）；

高導(dǎo)熱材料的創(chuàng)新應(yīng)用；

主動散熱技術(shù)和智能控制系統(tǒng)的相結(jié)合。

實(shí)際應(yīng)用中，制造商會根據(jù)成本考慮、功率密度以及可靠性要求等因素選擇最合適的技術(shù)方案。